کاوش الکترونیک | مرجع تخصصی خرید قطعات الکترونیک ، ماینر
دیتا شیت
PTP02N04N
PTP02N04N یک ماسفت 40 ولت 280 آمپر کانال N است که دارای پکیج TO220 می باشد.
RDS(ON)=1.6mΩ
خرسندیم که در کاوش الکترونیک این ماسفت را با بهترین قیمت و کیفیت در اختیار شما عزیزان قرار می دهیم.
ماسفت کانال N چیست؟
ترانزیستور اثر میدانی فلز-اکسید-نیمه هادی (MOSFET، MOS-FET یا MOS FET) یک ترانزیستور اثر میدانی (FET با گیت عایق) است که در آن ولتاژ رسانایی دستگاه را تعیین می کند. برای سوئیچینگ یا تقویت سیگنال استفاده می شود. از قابلیت تغییر رسانایی با مقدار ولتاژ اعمالی می توان برای تقویت یا سوئیچینگ سیگنال های الکترونیکی استفاده کرد. ماسفت‌ها در حال حاضر حتی از BJT (ترانزیستورهای پیوند دوقطبی) در مدارهای دیجیتال و آنالوگ رایج‌تر هستند.
ماسفت N-Channel نوعی ترانزیستور اثر میدانی نیمه هادی اکسید فلزی است که تحت عنوان ترانزیستورهای اثر میدانی (FET) طبقه بندی می شود. … این نوع ترانزیستور به ترانزیستور اثر میدانی گیت عایق (IGFET) نیز معروف است. گاهی اوقات به عنوان یک ترانزیستور اثر میدانی عایق فلزی (MIFET) نیز شناخته می شود
عملکرد ماسفت
عملکرد ماسفت( PTP02N04N) به خازن MOS بستگی دارد. خازن MOS بخش اصلی ماسفت است. سطح نیمه هادی در لایه اکسید زیرین که بین پایانه های گیت و درین قرار دارد. با اعمال ولتاژ گیت مثبت یا منفی می توان آن را از نوع p به نوع n معکوس کرد.
درین و سورس به شدت دوپینگ n+ شده اند و بستر از نوع p است. جریان به دلیل جریان الکترون هایی با بار منفی که به عنوان ماسفت کانال n نیز شناخته می شود، جریان می یابد.
هنگامی که ولتاژ گیت مثبت را اعمال می کنیم، حفره های موجود در زیر لایه اکسید نیروی دافعه را تجربه می کنند و حفره ها به سمت پایین به سمت بارهای منفی محدود شده که با اتم های گیرنده مرتبط هستند رانده می شوند. ولتاژ گیت مثبت همچنین الکترون‌ها را از منبع n+ و ناحیه تخلیه به داخل کانال جذب می‌کند، بنابراین یک کانال دسترسی الکترون تشکیل می‌شود.
یکی از شرکت های سازنده ی این محصول (PTP02N04N) PIP می باشد.
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.